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提示信息
通过认证 
| 种类:结型(JFET) | 沟道类型:N沟道 |
| 导电方式:耗尽型 | 用途:TC/小型器件标志 |
| 材料:IGBT绝缘栅比极 | 封装:TO-247-3 |
IXBH2N250详细规格参数：
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 30 |
| IGBT 型 | - |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 2500V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3.5V @ 15V, 2A |
| - 集电极电流（Ic）（最大） | 5A |
| 功率 - 最大 | 32W |
| Input 型 | Standard |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-247-3 |
| 供应商器件封装 | TO-247 |
| 包装材料 | Tube |
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| 型号 | 封装 | 厂家 |
IXBH2N250 TO-247-3 IXYS
IXBH16N170 TO-247-3 IXYS
IXBH42N170 TO-247-3 IXYS
IXBH40N160 TO-247-3 IXYS
IXBH32N300 TO-247-3 IXYS
IXBH9N160H TO-247-3 IXYS
IXBH20N300 TO-247-3 IXYS
IXBH5N160G TO-247-3 IXYS
IXBH6N170 TO-247-3 IXYS
IXBH10N170 TO-247-3 IXYS
IXBH28N170A TO-247-3 IXYS
IXBH42N170A TO-247-3 IXYS
IXBH24N170 TO-247-3 IXYS
IXBH12N300 TO-247-3 IXYS
IXBH14N250 TO-247-3 IXYS
IXBH14N250A TO-247-3 IXYS
