传感器包括微传感器可以实现的种类很多，从原理上讲都以物理、化学及生物的各种规律或效应为基础。因此了解SA">开关电源模块传感器所基于的各种效应，对学习、研究和使用各种开关电源模块传感器（特别是物性型传感器）是非常必要的。表1列出了部分物性型MTD2002传感器的检测对象及所基于的物理效应，如果读者想了解更广泛和深入的MTD2002内容，请参考其他文献。
表1 一些物性型传感器的基础效应
| 检测 对象 | 类型 | 所利用的效应 | 输出 信号 | 传感器或敏感元件举例 | 主要材料 |
| 光 | 量子型 | 光电导效应 | 电阻 | 光敏电阻 |
可见光：CdS, CdSe |
| 红外：PbS, InSb | |||||
| 光生伏特效应 | 电流 | 光敏二极管、光敏三极管、光电池 | Si, Ge, InSb(红外) | ||
| 电压 | 肖特基光敏二极管 | Pt-Si | |||
| 光电子发射效应 | 电流 | 光电管、光电倍增管 | Ag-O-Cs, Cs-Sb | ||
| 约瑟夫逊效应 | 电压 | 红外传感器 | 超导体 | ||
| 热型 | 热释电效应 | 电荷 | 红外传感器、红外摄像管 | BaTiO3 | |
| 机 械 量 | 电阻式 | 电阻应变效应 | 电阻 | 金属应变片、半导体应变片 | 康铜，卡码合金，Si |
| 压阻效应 | 硅杯式扩散型压力传感器 | Si, Ge, GaP, InSb | |||
| 压电式 | 压电效应 | 电压 | 压电元件 | 石英，压电陶瓷，PVDF | |
| 正、逆压电效应 | 频率 | 声表面波传感器 | 石英，ZnO+Si | ||
| 压磁式 | 压磁效应 | 感抗 | 压磁元件；力、扭矩、转矩传感器 | 硅钢片,铁氧体,坡莫合金 | |
| 磁电式 | 霍尔效应 | 电压 | 霍尔元件；力、压力、位移传感器 | Si, Ge, GaAs, InAs | |
| 光电式 | 光电效应 | 电流 | 各种光电元件；位移、振动、转速传感器 | CdS, InSb, Se-化合物 | |
| 光弹性效应 | 折射率 | 压力、振动传感器 | 各种透光弹性材料 | ||
| 温 度 | 热电式 | 赛贝克效应 | 电压 | 温差电偶 | Pt-PtRh10,NiCr-NiCu,Fe-NiCu |
| 约瑟夫逊效应 | 噪声 电压 | 绝对温度计 | 超导体 | ||
| 热电效应 | 电荷 | 驻极体温敏元件 | PbTiO3, PVF2, LiTaO3 | ||
| 压电式 | 正、逆压电效应 | 频率 | 声表面波温度传感器 | 石英 | |
| 热 型 | 热磁效应 | 电场 |
Nernst 红外探测器 |
热敏铁氧体，磁钢 | |
| 磁 | 磁电式 | 霍尔效应 | 电压 | 霍尔元件 | Si,Ge,GaAS,InAs |
| 霍尔IC、MOS霍尔IC | Si | ||||
| 磁阻效应 | 电阻 | 磁阻元件 | Ni-Co合金，InSb,InAs | ||
| 电流 | 二极管、磁敏晶体管 | Ge | |||
| 约瑟夫逊效应 | 电流 | 超导量子干涉器件(SQUID) | Pb,Sn,Nb,Nb-Ti | ||
| 光电式 | 磁光法拉第效应 | 偏振光 面偏转 | 光纤传感器 | YIG, EuO, MnBi | |
| 磁光克尔效应 | MnBi | ||||
| 放 射 线 | 光电式 | 放射线效应 | 光强 | 光纤射线传感器 | Ti-石英 |
| 量子型 |
P- N结 光生伏特效应 |
电脉冲 | 射线敏二极管 二极管 | Si, Ge | |
| Li-Ge, Si, HgI2 | |||||
| 肖特基效应 | 电流 | 肖特基二极管 | Au-Si |
