目前，很多功率型LED的驱动电流达到70 mA、100 mA甚至1 A，这将会引起芯片内部热量聚集，导致发光波长漂移、出光效率下降、荧光粉加速老化以及使用寿命缩短等一系列问题。业内已经对大功率LED的散热问题作出了很多的努力：通过对芯片外延结构优化设计，使用表面粗化技术等提高芯片内外量子效率，减少无辐射复合产生的晶格振荡，从根本上减少散热组件负荷；通过优化封装结构、材料，选择以铝基为主的金属芯印刷电路板（MCPCB），使用陶瓷、复合金属基板等方法，加快热量从外延层向散热基板散发。多数厂家还建议在高性能要求场合中使用散热片，依靠强对流散热等方法促进大功率LED散热。尽管如此，单个LED产品目前也仅处于1～10 W级的水平，散热能力仍亟待提高。相当多的研究将精力集中于寻找高热导率热沉与封装材料，然而当LED功率达到lO W以上时，这种关注遇到了相当大的阻力。即使施加了风冷强对流方式，牺牲了成本优势，也未能获得令人满意的变化。

    讨论在现有结构、LED封装及热沉材料热导率等因素变化对于其最大功率的影响，寻找影响LED散热的关键因素。研究方法为有限元热分析法。该方法已有实验验证了LED有限元模型与其真实器件之间的差别，证明其在误差许可范围内是准确可行的。

    2 建立模型

    2.1 有限元热分析理论

    三维直角坐标系中的瞬态温度场场变量T（x，y，z，t）满足：

    式中：T/x，T/y，T/z为沿x，y，z方向的温度梯度；λxx,λyy，λzz为热导率；q0为单位体积的热生成；ρc是密度与比热容的乘积：dT/dt为温度随时间的变化率。

    式中：Vx，Vy,Vz为媒介传导速率。

    对于稳态热分析而言，T/t=0，式（1）可化简为：

    根据式（3）、边界条件与初始条件，利用迭代法或者消去法求解，得出热分析结果。

    2.2 几何模型的建立

    图1为依据常见1 w大功率LED尺寸建立并简化、海鸥翼封装铝热沉的大功率LED图形，底座接在MCPCB铝基板上。主要数据：芯片尺寸为1 mm×1 mm×O.25 mm，透镜为直径是13 mm的半球。硅衬底为边长17 mm，高0.25 mm的正六棱柱，MCPCB为直径20 mm，高1.75 mm的六角星形铝质基板。

    2.3 有限元模型的建立

    模型采用ANSYSl0.0计算，为方便分析，假设模型：