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尔必达30纳米制程DRAM迈入量产 扩大市场占有率

放大字体  缩小字体 发布日期:2010-10-08  浏览次数:116
核心提示:日厂尔必达(Elpida)将自2010年12月开始导入30纳米前半制程量产DRAM,与同年7月早一步投入30纳米前半制程DRAM量产的三星电子(Sams

    日厂尔必达(Elpida)将自2010年12月开始导入30纳米前半制程量产DRAM,与同年7月早一步投入30纳米前半制程DRAM量产的三星电子(SamsungElectronics)较劲。据悉,新的制程技术可撙节约30%的生产成本。尔必达另计划2011年中技转瑞晶电子。

    据悉,相较于尔必达导入的40纳米制程,制程进一步微缩的30纳米制程技术,每片晶圆所产出的芯片数约可增加45%;生产成本则可降低约30%。尔必达欲藉此提高成本竞争力,扩大市占。

    日本经济新闻报导指出,尔必达将自12月起先行于广岛厂导入量产;2011年中将生产技术移转至台湾子公司瑞晶电子后投入量产,而加计子公司产能在内,尔必达月产能估计将达21万片(以12寸晶圆计),预料数年后,尔必达产能中约有7成采30纳米制程技术。

 
 
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