新一代存储器的大型共同开发项目即将在日本启动。尔必达存储器、夏普、东京大学以及产业技术综合研究所将联手开发Gbit级可变电阻式存储器（ReRAM）。此次开发将结合夏普拥有的可变电阻元件等材料技术和尔必达存储器拥有的量产技术等。
此次开发的ReRAM瞄准弥补便携产品和各种台式产品中DRAM与NAND闪存之间的性能差。在电子设备中作为工作内存（WorkMemory）使用的DRAM时，最近通过导入DDR3接口，传输速度不断提高。今后还将导入DDR4接口等，估计传输速度将会更快。而另一方面，作为存储介质不断推进利用的NAND闪存方面，伴随着以多值化为代表的大容量化，写入速度等性能出现降低趋势。“DRAM与NAND闪存的性能差不断扩大，因此，为弥补这种性能差必须开发新的非易失性存储器”（尔必达执行董事兼CTO安达隆郎）。作为其候补，尔必达等选中的是写入速度比NAND闪存快几位数的ReRAM。今后的目标是，使ReRAM至少拥有与DRAM同等以上的大容量。
在大规模地开发ReRAM芯片的同时，定量估算将ReRAM实际导入电子设备时的高性能化及低功耗化效果的尝试也正式开始。与尔必达和夏普等共同开发ReRAM的东京大学研究生院工学研究系电气工学专业副教授竹内健的开发小组，在2010年9月22～24日于东京举行的半导体元件/材料相关国际会议“SSDM（SolidStateDevicesandMaterials）2010”上，公布了估算结果。具体内容如下：作为SSD（SolidStateDrive，固态硬盘）的缓存使用ReRAM时，写入数据时的耗电量可比原来降低97％，运行可靠性的指标——允许误比特率可提高至原来的3.6倍。
