随着全球经济复苏，今年各种NAND Flash的终端应用产品的出货量也将转为成长；研究机构集邦科技(DRAMeXchange)表示，未来手机、SSD、记忆卡将内建更高容量NAND Flash，预估2010年全球NAND Flash将出现缺货，需求的位产出将比今年增长81%，达到10,986M GB。

   台湾长久缺席的快闪存储器产业终于出现曙光，由于既有NAND Flash技术在20纳米制程以下面临天险，全球大厂纷竞逐下世代技术，近期国家纳米元件实验室(NDL)成功在R-RAM(Resistive Random-Access Memory)技术架构下，研发出全球最小的9纳米电阻式存储器，计划在2011年下半正式成立“16-8纳米元件联盟”，将广邀存储器厂及晶圆代工厂加入，首波会先洽谈台系存储器厂，目标5~10年内将此技术导入量产，让台湾正式加入NAND Flash产业战局。

    就NAND Flash供给面而言，集邦科技表示，目前多数NAND Flash供货商多处在由亏转盈的阶段，许多供货商将以2010年市场需求的成长率，来做为明年产出成长目标参考，以使NAND Flash市场能维持在较平衡的状态，供货商目前对明年的扩产计划仍多倾向保守的态度，预期2010年NAND Flash晶圆总产出量将仅比2009年微幅增加，估计明年的资本支出仍将以制程技术升级为主。

    NAND Flash技术在20纳米制程以前，台湾存储器业者完全没有参与权，因为相关技术和专利都被国际大厂所掌控，但在20纳米制程以下，传统浮动闸(Floating Gate)技术出现天险，面临储存电子数越来越少问题，NAND Flash技术出现大变革，各种下世代存储器陆续问世。目前新世代存储器技术架构包括PRAM(Phase Change RAM)、MRAM(Magnetic RAM)、R-RAM等，暂无法确定谁能胜出，存储器龙头厂三星电子(Samsung Electronics)由于资源庞大，几乎各种技术都投入研发。

    这次NDL完成全球最小的9纳米存储器，系采用R-RAM技术为架构，已于12月在美国旧金山所举行国际电子元件会议(IEDM)正式发表，NDL在实验室成立1条产线做研发，未来希望能再建1条产线，最终目标是希望将这个9纳米产品导入12寸或18寸晶圆厂，作为量产产品。另外，目前布局R-RAM技术业者还包括英特尔(Intel)、新帝(SanDisk)、三星、IBM等。

    NDL计划成立“16-8纳米元件联盟”，作为NAND Flash技术平台，并成为台厂未来发展新世代NAND Flash技术的专利后盾，此联盟预计2011年下半正式成立，将广邀存储器厂和晶圆代工厂加入，首波邀请对象为存储器业者，包括旺宏、华邦、力晶、瑞晶、南亚科、华亚科、茂德等。

    由于考量到联盟组织最后易沦为口号，且大部分业者不愿将最顶尖技术贡献到台面上，因此，未来此联盟将设计多种模式，鼓励业者及各方研究菁英加入，象是缴交权利金换取专利使用权、技术合作等，未来目标是仿效IBM华生研究中心 (Thomas J. Watson Research Center)，专门培育半导体人才。

    NDL强调，学界主要专注于研发和布局累积专利数量，未来要导入量产仍是要靠业界，目前9纳米产品雏形已具备，但要导入8寸或12寸晶圆厂才是挑战开始，目标是希望5~10年内可进入量产，让台湾正式加入NAND Flash产业战局。

    目前市场对第3季只求能在价格平稳中度过，但对第4季NAND Flash市场疑虑较深，预计手机大厂需要的MLC芯片仍会缺货，但TLC芯片由于释出量越来越大，价格恐出现一波修正，未来NAND Flash价格在MLC和TLC走势亦会愈益两极化。