三星电子星期二称，它已经开发出了一种新的计算机内存模块，读写数据的速度是上一代内存芯片的一倍。

    DDR4内存的标准规范仍未最终定夺。三星这条样品属于UDIMM类型，容量为2GB，运行电压只有1.2V，工作频率为2133MHz，而且凭借新的电路架构最高可以达到3200MHz。相比之下，DDR3内存的标准频率最高仅为1600MHz，运行电压一般为1.5V，节能版也有1.35V。仅此一点，DDR4内存就可以节能最多40％。

    根据此前的规划，DDR4内存频率最高有可能高达4266MHz，电压则有可能降至1.1V乃至1.05V。

    三星表示，这条DDR4内存使用了曾出现在高端显存颗粒上的“Pseudo Open Drain”(虚拟开漏极)技术，在读取、写入数据的时候漏电率只有DDR3内存的一半。

    三星电子在声明中称，它将在2012年开始使用30纳米级的技术生产这种新的DDR4 DRAM内存模块。

    目前DRAM内存行业的主流产品是DDR3内存模块，其性能比DDR2产品有所提高。三星电子称，它是DRAM内存行业第一个开发出DDR4内存芯片的厂商。

    三星称，上月底已经向一家控制器制造商提供了这种DDR4内存条的样品进行测试，并计划与多家内存厂商密切合作，帮助JEDEC组织在今年下半年完成DDR4标准规范的制定工作，预计2012年开始投入商用。

    三星电子补充说，这种新的内存芯片还将把电源消耗减少一半。与DDR3内存芯片相比，DDR4内存芯片的耗电量是1.2伏，数据传输速度为每秒2.133GB。而DDR内存芯片的耗电量是1.35伏或者1.5伏，数据传输速度为每秒1.6GB。