iSuppli公司的数据显示，预计2011年NAND闪存市场上升25%至225亿美元。集邦科技发布近日报告称，2011年全球闪存芯片销售额将达到215亿美元，同比上涨16%，但是其平均价格将同比下降35%。

    集邦科技称，新款智能机、平板机的发布以及春节期间的采购将缓解明年一季度闪存市场受到的季节性销售因素影响。到二季度时，闪存市场的供需就会更加平衡，价格下降幅度不会太大。

    日本东北地区日前出现超级强地震，虽然真正损失暂无法评估，以存储产业而言，东芝(Toshiba)因为地震造成生产线中断，以及日前停电造成4.8万片12寸晶圆受损，NAND Flash闪存供给将大幅短缺，短线将推升报价上扬。

    尔必达(Elpida)是全球主要的MobileRAM移动存储芯片厂商，也是苹果(Apple)的供货商之一。经过这次强震，有利于尔必达加速将订单给瑞晶生产。竞争对手三星、海力士等是否会把DRAM产能转到NANDFlash，补上东芝缺口，届时台湾和美国DRAM厂可坐收渔翁之利。

    在供给端方面，NANDFlash伤势远比DRAM严重，虽然东芝和尔必达在日本厂房分别在四日和广岛，因为距离较远，受到地震本身的波及不严重，但两家日系半导体厂都有因为强震而使得生产线暂时中断，以及有破损晶圆的情况出现，因此供给和产出多少会受影响。东芝对于NANDFlash产业影响更严重，主要有几个原因。首先，东芝在全球NANDFlash市场的市占率高达35%，与龙头厂三星在伯仲之间，因此东芝产能只要有一点损伤，对全球NANDFlash供给都是大事。

    虽然这次日本9级强震对于东芝NANDFlash产能影响有多大官方尚未公布且也暂时无法估计，但以发生在2010年12月初的数小时跳电来看，当时造成3个月后也就是2010年1、2月东芝NANDFlash短缺20-30%，算是不小的影响，NANDFlash价格也因此在2010年底提前止跌，通路商当时都赶紧进场备货。东芝除了11日的强震导致工厂停工外，其实在8日时，东芝四日市12寸晶圆厂内部也发生数小时的人为疏失的跳电事件，据了解，损失的12寸晶圆数量约4.8万片。

    以东芝8日的跳电和11日的地震所引发的晶圆损失，市场推估这次东芝NANDFlash产能供给受波及的数目恐不在少数，最大影响会是在第2季底时期，受惠者会是竞争对手三星电子(Samsung)、海力士(Hynix)和美光(Micron)。以目前供给大幅短缺的情况来看，后续NANDFlash价格是涨定了，二线平板电脑厂商恐面临没有NANDFlash芯片货源的情况。在下游模组厂方面，三星和东芝阵营的厂商将冰火两重天，三星阵营模块厂在NANDFlash货源上会较无问题，但东芝阵营厂商则较吃亏。不过，不管是三星或是东芝，其实最大客户还是苹果，以及其它智能型手机和平板电脑厂商，在全球都货源短缺的情况下，大部分NANDFlash货源都会以系统大厂为主，不排除所有模块厂都占不到便宜。

    过去类似这种停电、跳电或是天灾问题，内存模块厂最容易发灾难财，但2011年状况不一样，大家库存都保持在安全水位，DRAM产业才刚才二次崩盘中死里逃生，没有下游厂敢备大量库存。而NANDFlash拿货方面，模块厂从2010年开始就处于供货的第二顺位，NANDFlash大厂的供货顺序都以苹果、诺基亚(Nokia)、宏碁等为主，因此这一次得日本大地震，下游厂并没有太多库存涨价利益可赚。苹果iPad2采用东芝NANDFlash芯片，未来东芝NANDFlash供给减少，虽然仍是会以苹果为优先供货客户，但不足之处，恐转单三星。

　随着制造商扩充产能方面的支出增加，以及新工厂的产量预计上升，供应商必须平衡两种需求：降低生产成本，以及增加NAND闪存供应。

　　如果今年下半年以及更长远的季节性需求不如预期强劲，则供应过剩和其它支出可能导致NAND闪存市场下沉，并走向衰退。否则的话，该市场本来会保持活力。