需要注意的第一件事是，a1 项对效率达到最大时的电流不产生影响。这是由于它与损耗相关，而上述损耗又与诸如二极管结点的输出电流成比例关系。因此，当输出电流增加时，上述损耗和输出功率也会随之增加，并且对效率没有影响。需要注意的第二件事是，最佳效率出现在固定损耗和传导损耗相等的某个点上。这就是说，只要控制设置 a0 和 a2 值的组件，便能够获得最佳效率。还是要努力减小 a1 的值，并提高效率。控制该项所得结果对所有负载电流而言均相同，因此如其他项一样没有出现最佳效率。a1 项的目标是在控制成本的同时达到最小化。例如，功率MOSFET导通电阻的选择会影响其栅极驱动要求及 Coss 损耗和潜在的缓冲器损耗。低导通电阻意味着，栅极驱动、Coss 和缓冲器损耗逆向增加。因此，您可通过选择 MOSFET 来控制 a0 和 a2。压;它们还包含两组低压差线性稳压器(LDO)，负责提供电源给锁相回路 (PLL) 和SRAM或处理器的其它功能模块。这些器件还有许多功能未列在表中，例如后备电池支持、I2C界面和重置功能。 表 1 损耗系数及相应的电源损耗损耗系数举例
a0偏压损耗 Coss 损耗
内核损耗 缓冲器损耗
栅极驱动损耗
a1二级管结点损耗 开关损耗
逆向恢复损耗 SR 停滞时间损耗
a2FFT 电阻损耗 绕组损耗
漏电感损耗 蚀刻损耗
电容器纹波 | 损耗 电流感应损耗
需要最小化该表达式中的最后两项，以最佳化效率。a1 项很简单，只需对其最小化即可。末尾项能够实现部分优化。如果假设 MOSFET 的 Coss 和栅极驱动功率与其面积相关，同时其导通电阻与面积成反比，则可以为它选择最佳面积(和电阻)。图 1 显示了裸片面积的优化结果。裸片面积较小时，MOSFET 的导通电阻变为效率限制器。随着裸片面积增加，驱动和 Coss 损耗也随之增加，并且在某一点上变为主要损耗组件。这种最小值相对宽泛，从而让设计人员可以灵活控制已实现低损耗的 MOSFET 成本。当驱动损耗等于传导损耗时达到最低损耗。
轻负载情况下，较大面积裸片的效率会受不断增加的驱动损耗影响，而在重负载条件下小尺寸器件因高传导损耗而变得不堪重负。这些曲线代表裸片面积和成本的三比一变化，注意这一点非常重要。正常芯片面积设计的效率只比满功率大面积设计的效率稍低一点，而在轻载条件下(设计常常运行在这种负载条件下)则更高。
