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联电攻穿戴 28纳米流程出炉

放大字体  缩小字体 发布日期:2015-05-07  来源:电子互联网  作者:杨先生  浏览次数:45
核心提示:晶圆代工厂联电与电子设计自动化工具(EDA)厂益华电脑(Cadence)共同合作,推出28奈米设计参考流程,适用于以ARM Cortex-A7 MP
 晶圆代工厂联电与电子设计自动化工具(EDA)厂益华电脑(Cadence)共同合作,推出28奈米设计参考流程,适用于以ARM Cortex-A7 MPCore为基础的系统单晶片

    联电今年加快28奈米扩产速度,不仅第1季晶圆出货量可望与上季持平,营运淡季不淡,今年中月产能将达2万片,成为营收成长主要动能。联电与Cadence扩大合作,采用Cadence的EDA工具提供28奈米设计参考流程,流程包括Cadence Encounter数位设计实现系统、Tempus时序Signoff解决方案、Voltus IC电源完整性解决方案、Quantus QRC萃取解决方案、实体验证系统、Litho Physical Analyzer与CMP Predictor等,并用来量产28奈米ARM Cortex-A7为基础的系统晶片,瞄准入门级智慧型手机、平板、高阶穿戴装置和其他先进行动装置等目标。

    联电因此将试产前置时间缩短了33%,更达成了1.7GHz的核心运算时脉效能。此外,联电也达成了低于200mW的动态功耗,这代表比前一代流程降低了20%。

    联电矽智财开发与设计支援资深处长林世钦表示,运用Cadence提供的大量平行运算架构,联电得以大幅节省在signoff分析、设计实现与收敛所花费的时间,能够迅速地为市场提供高品质参考设计,超越联电28奈米的功耗、效能与面积的预期目标。联电行动客户的装置需求非常特殊,而且全新晶片通过测试,确保稳定的28奈米晶片使用参考设计。

    联电28奈米良率稳定提升,多晶矽氮氧化矽(Poly SiON)制程良率已超过90%,高介电金属闸极(HKMG)良率也由去年第4季的80%,至本季开始朝向90%提升,客户对联电28奈米需求畅旺,包括联发科(2454)、高通、迈威尔、瑞昱(2379)等客户均开始采用联电28奈米投片。

    为了因应客户需求,联电去年第4季28奈米月产能约达1.2万片,今年中月产能可达2万,今年底希望可以拉高月产能至2.5万片规模。而28奈米今年接单满载,也成为联电晶圆代工营收成长的最大动能。

    联电去年第4季营收372.35亿元,去年全年营收1,400.12亿元,均创下历史新高,第1季以来8寸厂产能利用率仍维持满载,12寸厂产能利用率也跨过9成水准,法人乐观看待联电第1季晶圆代工营收有机会与较上季持平或下滑5%以内。

 
 
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