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我公司科研人员经过连续技术攻关, 在原有YB6500高端半导体分立器件自动测试系统基础上, 自行研发出国内首台IGBT测试仪，圆满解决了功率IGBT等新型半导体器件的全参数测试难题,填补了国内在IGBT半导体自动测试领域的空白，该项产品综合技术指标达到国际领先水平。
目前我公司提供的该项新产品采用模块式功放结构, 主极电流100A/200A/400A/500A/700A/1000A/1250A可选。
该产品可测试IGBT参数包括了ICES, BVCES, IGESF, IGESR, VGETH, VGEON, VCESAT, ICON,VF, GFS,rCE等全直流参数, 所有小电流指标保证1%重复测试精度, 大电流指标保证0.5%以内重复测试精度, 达到目前国外进口同类产品领先水平。
可以扩展测试其他半导体分立元器件。
2、主极参数
1）、主极电压：0--2000V
2）、电压分辨率：1mV
3）、主极电流：0---50A
电流向上可扩展到： 100A, 200A, 400A, 500A ，700A, 1000A， 1250A。
5）、电流精度：1%+10nA+20pA/V
6）、测试速度：0.5MS/参数
3、绝缘栅大功率晶体管IGBT测试仪参数及精度
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电参数名称
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电压范围
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电流范围
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分辨率
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精度
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ICES
IGESF
IGESR
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0.10V- 2000V
0.10V - 20V(80V)（2）
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100nA(100pA)（1）
- 50mA
100nA(100pA)（1）- 3A
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1nA(50pA)（1）
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1%+10nA+20pA/V
(1%+200pA+2pA/V)（1）
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BVCES
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0.1V-1000V- 1400V
- 1600V
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100μA - 200mA
-100mA
-50mA
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5mV
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1%＋100mV
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VGETH
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0.10V- 20.0V(80V)（2）
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100nA- 3A
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5mV
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1%+10mV
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